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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%

2020-11-10 15:22:41
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的大容量生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET  產(chǎn)品,采用超小型DFN0606封裝,適合移動和便攜應(yīng)用產(chǎn)品,包括可穿戴設(shè)備。它們還提供低導(dǎo)通電阻RDS(開),并使用通常的0.35毫米間距,從而簡化了印刷電路板組裝過程。
PMH系列MOSFET采用DFN0606封裝,僅占0.62 x  0.62 mm,比上一代DFN1006器件節(jié)省36%以上的空間。由于先進(jìn)的工藝流程,這些新器件提供了低導(dǎo)通電阻RDS(on),與競爭對手產(chǎn)品相比,降低了60%以上。它們還具有出色的靜電放電性能,超低VGS電壓閾值低至0.7伏。該參數(shù)對于驅(qū)動電壓較低的便攜式產(chǎn)品應(yīng)用非常重要。
Nexperia  產(chǎn)品經(jīng)理Sandy  Wang  評論表示:“新一代可穿戴設(shè)備不斷突破消費(fèi)電子技術(shù)的界限。智能手機(jī)、智能手表、健身追蹤器等創(chuàng)新技術(shù)的演進(jìn),要求小型化的MOSFET提供領(lǐng)先的性能和效率,從而實(shí)現(xiàn)越來越復(fù)雜的功能。Nexperia具有較高的生產(chǎn)能力和制造能力,可以擴(kuò)大生產(chǎn),最大限度地滿足市場需求。”

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