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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET

2020-11-11 09:07:24
東芝電子元器件及存儲(chǔ)器件有限公司(東芝)今天宣布,其“U-MOS  X-H系列”產(chǎn)品線新增80v  n溝道功率MOSFET  - TPH2R408QM和采用其最新一代工藝制造的TPN19008QM。新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站中使用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
新增加的產(chǎn)品包括表面貼裝SOP  Advance封裝中的“TPH2R408QM”和TSON  Advance封裝中的“TPN19008QM”。產(chǎn)品今天開始出貨。
與目前u-mos  -h系列中的80V  產(chǎn)品相比,新的80V  U-MOS  X-H  產(chǎn)品由于采用了最新一代制造技術(shù),漏源導(dǎo)通電阻降低了約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),進(jìn)一步改善了漏源導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性之間的平衡。因此,新的產(chǎn)品可以提供業(yè)界最低的功耗。
東芝正在擴(kuò)展其降壓型產(chǎn)品生產(chǎn)線,從而有助于降低設(shè)備功耗。
應(yīng)用:
?開關(guān)電源(高效交流-DC變換器、DC-DC變換器等)。(
?電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。(
特征:
?業(yè)界功耗最低(通過改善導(dǎo)通電阻和柵極充電特性之間的平衡[2])
?行業(yè)最低阻力[3]:
Rds(開)=2.43m(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
Rds  (on)=19m(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
?高額定通道溫度:Tch=175

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