東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

2020-11-12 09:11:33

東芝電子元器件及存儲(chǔ)器件有限公司(東芝)今天宣布推出“TLP5231”，這是一款適用于中大，電流絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這種新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦合器具有許多內(nèi)置功能[1]，包括通過(guò)監(jiān)控集電極電壓進(jìn)行過(guò)流檢測(cè)。產(chǎn)品從今天開(kāi)始出貨。

新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦合器使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為緩沖器來(lái)控制中大電流IGBT和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

目前，產(chǎn)品[2]需要一個(gè)由雙極晶體管組成的緩沖電路來(lái)實(shí)現(xiàn)電流放大，在工作中會(huì)消耗基極電流。新的產(chǎn)品可以使用外部互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管緩沖器，只有在緩沖金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極充放電時(shí)才會(huì)消耗電流，這有助于降低功耗。

通過(guò)改變外部互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管緩沖器的大小，TLP5231可以為各種IGBT和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器和IGBT/MOSFET的配置可以作為一個(gè)平臺(tái)來(lái)滿(mǎn)足系統(tǒng)的功耗要求，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

其他功能包括：檢測(cè)到VCE(sat)過(guò)流后，使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極soft off time”；此外，除了可以通過(guò)監(jiān)控集電極電壓來(lái)檢測(cè)VCE(sat)之外，還可以通過(guò)UVLO[3]檢測(cè)向初級(jí)側(cè)輸出任何故障信號(hào)。這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]所不具備的新特性可以使TLP5231幫助用戶(hù)更容易地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。