英飛凌650 V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能

“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌已經(jīng)在600伏/650伏部分改進了其硅基、碳化硅和氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的組合，”英飛凌電源管理和多元化市場部門的高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān)斯特芬梅茨格說。“這凸顯了我們在市場上的獨特地位：英飛凌是市場上唯一能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列電源產(chǎn)品的制造商。而新酷訊呢？該系列是我們成為工業(yè)碳化硅場效應晶體管開關(guān)領(lǐng)域第一大供應商的有力支持。”

650 V  CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 m至107 m之間，可用于典型的TO-247 3引腳封裝和TO-247 4引腳封裝，開關(guān)損耗較低。以過去發(fā)布的所有CoolSiC？與金屬氧化物半導體場效應晶體管產(chǎn)品相比，新的650伏系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術(shù)，通過充分發(fā)揮碳化硅強大的物理特性，該器件具有出色的可靠性、出色的開關(guān)損耗和傳導損耗。此外，它們具有最高的跨導水平(增益)、4V閾值電壓(Vth)和短路魯棒性。總之，溝槽技術(shù)可以實現(xiàn)應用中的最低損耗和操作中的最佳可靠性，而不會有任何折衷。

650 V  CoolSiC與市面上其他硅基和碳化硅解決方案相比？MOSFET可以帶來更吸引人的優(yōu)勢：更高的開關(guān)頻率下更好的開關(guān)效率和出色的可靠性。由于超低溫相關(guān)導通電阻(RDS(on))，這些器件具有出色的熱性能。此外，它們還使用反向恢復電荷非常低的堅固體二極管：比最好的超結(jié)酷金屬氧化物半導體場效應晶體管低80%。其換向魯棒性使其易于實現(xiàn)98%的整體系統(tǒng)效率，如圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)通過連續(xù)導通模式。

為了簡化使用650 VCoolSiC  MOSFET的應用設(shè)計，并確保器件的高效運行，英飛凌還提供專用單通道和雙通道電氣隔離的愛塞德河柵極驅(qū)動集成電路。該解決方案(集成酷訊開關(guān)和專用柵極驅(qū)動集成電路)有助于降低系統(tǒng)成本和總擁有成本，提高能效?？峁鑸鲂w管能和其他英飛凌電子器件一起使用嗎？柵極驅(qū)動系列集成電路的無縫合作。