華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺 成功量產(chǎn)

華虹半導(dǎo)體一直深入?yún)⑴c嵌入式非易失性存儲器技術(shù)領(lǐng)域。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存技術(shù)平臺的閃存單元尺寸比第二代技術(shù)縮小了近40%，創(chuàng)下了全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)最小尺寸的新紀(jì)錄。Flash  IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，進(jìn)一步縮小了整體芯片面積，從而在單個晶圓上獲得更多的裸芯片。同時，掩膜層的數(shù)量進(jìn)一步減少，有效縮短了薄膜流延的周期?？煽啃灾笖?shù)繼續(xù)保持高水平，達(dá)到100，000次擦除和25年的數(shù)據(jù)保留容量。近年來，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點成功推出三代閃存技術(shù)平臺，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時，不斷尋求性價比更高的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey卡、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品，微控制器(MCU)等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然，博士表示：“華虹Semiconductor是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，未來面對高密度智能卡和高端微控制器市場，將繼續(xù)專注于R&D和200mm差異化技術(shù)的創(chuàng)新。同時，我們不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將現(xiàn)有的200mm到300mm的技術(shù)優(yōu)勢延伸，更好地服務(wù)于國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司，滿足市場需求。”