CISSOID在紐倫堡PCIM 2019展會上展出新款高溫柵極驅動器、碳化

CISSOID推出了一種新的柵極驅動器板，該板針對額定溫度為125C(環(huán)境溫度)的62毫米碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅動芯片組，還可以驅動IGBT功率模塊，同時可以為汽車和工業(yè)應用中高密度功率轉換器的設計提供散熱空間。支持高頻(100KHz)和快速碳化硅MOSFET開關(dV/dt  50KV/s)，可以提高功率變換器的效率，減小尺寸和重量。該板專為惡劣電壓環(huán)境設計，支持1200V和1700V電源模塊驅動。隔離電壓高達3600V(經過50Hz和1分鐘耐壓測試)，爬電距離為14 mm，欠壓閉鎖(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去飽和檢測等保護功能可以保證電源模塊在故障情況下安全驅動和可靠保護。“這種新的碳化硅柵極驅動板是多年來與汽車、運輸和航空航天市場行業(yè)領導者合作開發(fā)的成果。它結合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識和設計適應惡劣環(huán)境的芯片和電子系統的長期經驗。”CISSOID工程副總裁Etienne  Vanzieleghem說。

在紐倫堡，中芯國際還展示了最新的碳化硅場效應晶體管器件和IGBT功率模塊。一種新型的分立1200伏/40歐姆碳化硅場效應晶體管已經上市，它被封裝在TO-247中，可以在-55到175的溫度范圍內正常工作.場效應晶體管在25C(結溫)時的漏極至源極電阻為40歐姆，在175C(結溫)時的導通電阻為75歐姆。低開關導通和關斷能量(分別為1mJ和0.4mJ)使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID還展示了兩個62毫米1200伏IGBT功率模塊，額定電流分別為200安和300安。

CISSOID也在致力于碳化硅MOSFET功率模塊的開發(fā)，將在未來幾個月推出。“這些新的產品表明，中電投致力于提供基于碳化硅的全面解決方案，包括晶體管、模塊和柵極驅動器，以支持行業(yè)在新電動汽車和可再生能源應用中使用高效、輕質和緊湊的功率轉換產品，”中電投首席執(zhí)行官戴夫赫頓(Dave  Hutton)表示。“我們正與汽車制造商和汽車零部件供應商密切合作，為新能源汽車應用新型碳化硅功率逆變器定制柵極驅動器。”他補充道。