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埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管

2020-12-18 10:49:11
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)現(xiàn)在宣布,它已在其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術(shù)的基礎(chǔ)上衍生出先進(jìn)加固技術(shù)(ART),并開(kāi)發(fā)了新系列射頻功率器件產(chǎn)品的第一個(gè)。這種新工藝的開(kāi)發(fā)旨在實(shí)現(xiàn)工作電壓高達(dá)65V的極其魯棒的晶體管。
第一個(gè)采用這種技術(shù)的產(chǎn)品ART2K0FE是一個(gè)2kW的晶體管,頻率響應(yīng)為0到650MHz,封裝在氣腔陶瓷中。它的設(shè)計(jì)可以承受工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)應(yīng)用中最惡劣的條件,并可用于驅(qū)動(dòng)高功率CO2激光器、等離子體發(fā)生器和一些磁共振成像系統(tǒng)。ART器件適合這些應(yīng)用,因?yàn)樗鼈兛梢栽?5V下處理高達(dá)65:1的VSWR失配,這在CO2激光器和等離子體發(fā)生器工作時(shí)可能會(huì)遇到。
基于ART工藝開(kāi)發(fā)的器件,阻抗高,所以在開(kāi)發(fā)階段更容易集成到產(chǎn)品中,保證量產(chǎn)時(shí)更高的產(chǎn)品一致性。這個(gè)過(guò)程也可以讓開(kāi)發(fā)出來(lái)的器件比LDMOS競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品更有效率。這樣,最終應(yīng)用運(yùn)營(yíng)的成本可以通過(guò)節(jié)省輸入電能和減少加熱來(lái)降低。此外,采用這種工藝的器件還可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,即可以采用更小、成本更低的封裝,從而減少其電路板的占用面積,進(jìn)而降低系統(tǒng)成本。
ART器件還具有高擊穿電壓,這有助于確保它們?cè)陬A(yù)期壽命內(nèi)可靠、一致地工作。埃賦隆半導(dǎo)體還保證此類器件可供貨15年,以便產(chǎn)品設(shè)計(jì)師進(jìn)行長(zhǎng)期規(guī)劃。
用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現(xiàn)在可以提供樣品,可以選擇不同頻率的參考電路。埃賦隆半導(dǎo)體還提供低熱阻包覆成型塑料版本ART2K0PE。兩個(gè)版本預(yù)計(jì)在2020下半年量產(chǎn)。

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