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意法半導(dǎo)體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應(yīng)用性能

2020-12-19 10:07:12
意半導(dǎo)體—— HB2 650V  IGBT系列中國，20204月30日采用最新的第三代溝槽柵場截止(TFS)技術(shù)，可提高中PFC變換器、焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能該系列還包括符合AEC-Q101 Rev.D的汽車級產(chǎn)品
新HB2系列屬于STPOWER  產(chǎn)品系列，較低的(1.55V) VCEsat飽和電壓保證了出色的導(dǎo)通性能；較低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關(guān)，提高動態(tài)開關(guān)性能；出色的散熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，而新系列在市場上極具競爭力產(chǎn)品。

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