據(jù)三星電子官網(wǎng)消息，作為全球先進存儲技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，三星電子今天(21日)宣布推出第三代10納米(1z-nm)8GB超高性能、高效率的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。在第二代10nm (1y-nm)8Gb DDR4開始量產(chǎn)后僅16個月，三星就開發(fā)出了1z-nm 8Gb DDR4，而沒有使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理，這表明三星已經(jīng)突破了DRAM的擴展極限。
隨著10納米成為業(yè)界最小的存儲技術(shù)節(jié)點，三星現(xiàn)在已經(jīng)準(zhǔn)備好滿足不斷增長的市場需求。與以前的1Y納米級版本相比，新DDR4動態(tài)隨機存取存儲器的制造生產(chǎn)率提高了20%以上。
10納米8Gb DDR4將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)，以適應(yīng)預(yù)計于2020年推出的下一代企業(yè)服務(wù)器和高端PC。
“我們致力于突破技術(shù)面臨的最大挑戰(zhàn)，以推動我們實現(xiàn)更大的創(chuàng)新。我們很高興為下一代動態(tài)隨機存取存儲器的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，確保最大的性能和能效。”三星，電子動態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培說。“在我們構(gòu)建10納米動態(tài)隨機存取存儲器系列的同時，三星的目標(biāo)是支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并促進高端存儲器市場的增長。”
三星開發(fā)的10納米動態(tài)隨機存取存儲器為加速全球信息技術(shù)向下一代動態(tài)隨機存取存儲器接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)的過渡鋪平了道路，這將為未來的數(shù)字創(chuàng)新提供動力。隨后的10納米產(chǎn)品具有更高的容量和性能，將使三星能夠提高其業(yè)務(wù)競爭力，鞏固其在高端動態(tài)隨機存取存儲器市場的領(lǐng)先地位，應(yīng)用包括服務(wù)器、圖形和移動設(shè)備。
在與中央處理器制造商充分驗證8 GB DDR4模塊后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的內(nèi)存解決方案。
根據(jù)目前的行業(yè)需求，三星計劃在其平澤網(wǎng)站上增加主內(nèi)存生產(chǎn)的比例，并與其全球信息技術(shù)客戶合作，以滿足對最先進的動態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)品日益增長的需求。
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2020-12-25 09:10:00
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