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三種驅(qū)動(dòng)H橋的效率計(jì)算方法解析

2021-04-09 18:27:11

用H橋來驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)是很常見的應(yīng)用,常見的方式有三種,三極管驅(qū)動(dòng)、MOS管驅(qū)動(dòng)、集成電路驅(qū)動(dòng)。那么對(duì)于這三種方式驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)我們大概都知道存在各自的優(yōu)缺點(diǎn),集成電路比較方便,但是效率比較低;MOS管效率是最高的,三極管效率居中,我們腦海里都有這么一個(gè)大概的印象,但是涉及到具體的電路里面以及工作效率應(yīng)該如何計(jì)算呢,我在這里將三種驅(qū)動(dòng)H橋的效率計(jì)算方法和大家討論下:
之所以存在工作效率的高低,歸根結(jié)底是因?yàn)榫w管上在導(dǎo)通和關(guān)斷的時(shí)候在集電極和發(fā)射極會(huì)存在壓降,雖然我們平時(shí)分析的時(shí)候可以將其忽略掉,因?yàn)橹挥辛泓c(diǎn)幾伏,但是計(jì)算效率的時(shí)候,就要將其考慮進(jìn)來了。為了便于比較,將 H 橋的驅(qū)動(dòng)電流定位在 2A 水平上,而電壓在 5 - 12V 之間。
以驅(qū)動(dòng)一個(gè) 5V 、 2A 的直流電機(jī)為例
三極管驅(qū)動(dòng),關(guān)鍵元器件:S8050 S8550


之所以存在功率消耗主要原因是三極管導(dǎo)通、截止存在壓降,從上圖規(guī)格書可以看到S8050壓降為0.5V,S8550壓降為1.2V
三極管消耗功率為:(0.6+1.2)*2=3.6W電機(jī)得到的功率為:5*2=10W
效率為:10/13.6=73.5%
個(gè)人覺得上述電路應(yīng)該將NPN以及PNP換個(gè)位置比較好,這個(gè)電路我也沒有驗(yàn)證,此處不做產(chǎn)品性能分析,只從效率做探討。
MOS管:IRF9540 IRF3205


MOS的導(dǎo)通壓降要通過導(dǎo)通電阻來計(jì)算,IRF9540導(dǎo)通電阻為0.2Ω,導(dǎo)通壓降為2*0.2=0.4V;IRF3205導(dǎo)通電阻為0.008Ω,導(dǎo)通壓降為2*0.008=0.016V
MOS的消耗功率為:2*(0.4+0.016)=0.832W
電機(jī)得到的功率為:5*2=10W
效率為:10/10.832=92.3%
集成電路:L298N

VCEsat(H)為上橋臂壓降,2A時(shí)為2.7V
VCEsat(L)為上橋臂壓降,2A時(shí)為2.3V
VCEsat為上下橋臂壓降之和,2A時(shí)為4.9V
集成電路L298N消耗功率為:2*4.9=9.8W
電機(jī)得到的功率為:5*2=10W
效率為:10/19.8=50.5%
通過上面的分析計(jì)算可以很數(shù)據(jù)化的看出來MOS管的效率高于三極管高于集成電路,用獨(dú)立元器件搭建H橋成本低,效率高,但需要比較高的技術(shù)要求,穩(wěn)定性的有待驗(yàn)證;而集成電路則方便快捷,但是效率就比較低了。選用不同的晶體管分析方法都是一樣的,按照上面的參數(shù)計(jì)算就好了。你也可以試一試自己的H橋效率有多高,附件為三極管、MOS以及L298N的規(guī)格書。

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